BSC010N04LS/tdson-8/ιδιαίτεροι ημιαγωγοί
•Optimizedforsychronousrectification
•Verylowon-verylowon-resistanceRDS (επάνω)
•100%avalanchetested •Superiorthermalresistance
•N-channel, logiclevel
•QualifiedaccordingtoJEDEC1) fortargetapplications
•PB-RoHScompliant
•Αλόγονο-freeaccordingtoIEC61249-2-21
•Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection
| Ιδιότητες προϊόντων | Αξία ιδιοτήτων |
|---|---|
| Infineon | |
| Κατηγορία προϊόντων: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| Tdson-8 | |
| N-Channel | |
| 1 κανάλι | |
| 40 Β | |
| 100 Α | |
| mOhms 1 | |
| - 20 Β, + 20 Β | |
| 1.2 Β | |
| nC 95 | |
| - 55 Γ | |
| + 150 Γ | |
| 139 W | |
| Αύξηση | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 5 | |
| Εξέλικτρο | |
| Ταινία περικοπών | |
| MouseReel | |
| Εμπορικό σήμα: | Τεχνολογίες Infineon |
| Διαμόρφωση: | Ενιαίος |
| Εξάρτηση ανάπτυξης: | EVAL-600W-12V-LLC-Α, EVAL_600W_12V_LLC_CFD7, EVAL_600W_12V_LLC_P7, KIT_600W_LLC_DI_CTRL |
| Χρόνος πτώσης: | 9 NS |
| Μπροστινό Transconductance - λ.: | 140 S |
| Ύψος: | 1,27 χιλ. |
| Μήκος: | 5,9 χιλ. |
| Τύπος προϊόντων: | MOSFET |
| Χρόνος ανόδου: | 12 NS |
| Ποσότητα πακέτων εργοστασίων: | 5000 |
| Υποκατηγορία: | MOSFETs |
| Τύπος κρυσταλλολυχνιών: | 1 N-Channel |
| Χαρακτηριστικός χρόνος καθυστέρησης διακοπών: | 46 NS |
| Χαρακτηριστικός διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης: | 10 NS |
| Πλάτος: | 5,15 χιλ. |
| Μέρος # ψευδώνυμα: | SP000928282 BSC010N04LSATMA1 |
| Βάρος μονάδων: | 0,003527 oz |
[CWHO ΕΊΜΑΣΤΕ]
HAOXIN HK CO. ΤΕΧΝΟΛΟΓΊΑΣ ΠΟΥ ΠΕΡΙΟΡΊΖΕΤΑΙ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΉ
Κύρια διανομή πρακτόρων των παγκοσμίως διάσημων εμπορικών σημάτων ολοκληρωμένου κυκλώματος: ALTERA/XILINX/ADI/TI/BROADCOM/LINEAR/CYPRESS/ST/MAXIM/NXP/LATTICE, κ.λπ. Είμαστε ποιότητα-προσανατολισμένη στον, προσανατολισμένη προς τις υπηρεσίες αρχή, γρήγορη παράδοση, νέο αρχικό συσκευάζοντας σημείο, κρατάμε τις υποσχέσεις να κερδίσουμε την αγορά, και την πλειοψηφία των χρηστών για να δημιουργήσουμε το καλύτερο μέλλον.
